Chapter 02 · Cycles
四轮周期史：谁在制造暴涨暴跌
存储价格由极少数几家原厂（三星、SK 海力士、美光）和需求共同决定。看懂下面这条时间线，就能理解"存储为什么每隔几年就疯一次"。
DRAM 大事记
- 2008 · 金融危机崩盘
产能过剩叠加金融危机，DDR2 1Gb 现货从 $2.15 暴跌 73% 至 $0.59。奇景美（Qimonda）2009 年初破产。 - 2009–2010 · 快速反弹
触底 + 智能手机起量，18 个月内价格翻倍。 - 2011–2012 · 二次崩盘 + 格局定型
DRAM 2Gb 合约全年 −58%、现货 −70%。2012 年 2 月尔必达破产被美光收购——三星/海力士/美光"三寡头"格局自此定型，这是后来价格更抗跌的结构性原因。 - 2013 · SK 海力士无锡火灾
9 月 4 日无锡工厂大火（占全球 DRAM 约 15%），4Gb DDR3 合约冲到 $3.94、现货 $4.25。一次性事件，2014 复产后回落。 - 2016H2–2018 · 第一轮超级周期
移动 + 服务器需求爆发，PC 4GB 模组两个月从 $14.5→$18，2018 顶部约 $0.95/Gb。 - 2019 · 崩盘
供给追上 + 贸易战 + 高库存，2019Q1 合约单季 −20%+，全年跌至约 ~$0.40/Gb（E，据 2019-08 8GB 模组 $25.5 上修，原稿 $0.33 偏低）。 - 2020–2021 · 疫情反弹
远程办公/数据中心拉动，2021Q3 回到约 $0.51/Gb。 - 2022–2023 · 深度下行 + 国产压价
加息 + 消费疲软 + 库存，2023 年中–末名义低点区约 $0.19/Gb（8Gb 芯片口径，E）。CXMT（长鑫）国产 DDR4 放量进一步压低低端价；但 2025 下半年起 CXMT 亦随缺货涨价、退出价格战，国产短期未能压住涨势。 - 2024–2026 · AI 超级周期（进行中）
现货 2025Q1 谷底 $0.204（E，约 $0.18–0.20/Gb）→ 2026Q1 $3.93/Gb（as of 2026-02-13 DXI）；常规 DRAM（conventional）合约 2026Q1 +90~95% QoQ（常规 DRAM 有记录以来最陡之一，TrendForce 2026-02），超过 2018 前高约 3 倍。见第 4 章驱动因子。
NAND 大事记
- 2006–2012 · 陡降
SLC/MLC 时代密度快速提升，$/Gb 从约 $2–3/Gb 量级（重构估算）跌到约 $0.06，年均 ~40% 降幅。 - 2017 · 少见的上行 / 止跌年
3D NAND 良率爬坡期供给紧张，是合约芯片价上行 / 跌幅显著放缓的一年（同期 SSD 零售 $/GB 仍下行）；绝对值为重构估算（E）。 - 2018–2019 · 3D 放量大崩盘
256Gb TLC 较 2017 高点 −70%，$/GB 跌破 $0.08。 - 2022H2 · 腰斩
需求塌方，从约 $0.07/GB 腰斩至 $0.03/GB（spot/$GB 口径）。 - 2023Q3 → · 止跌回升 + 结构性缺货
原厂大幅减产，成熟料号（legacy node）被主动退出减产；合约 2026Q1 +33~38%（TrendForce 2026-01-05 初值；2026-02 上修至 +55~60%）、2026Q2 预计再 +70~75% QoQ。
规律总结
DRAM 是纯周期（围绕成本上下大幅波动）；NAND 是长期下行叠加周期（技术进步压低成本，但缺货时也会暴涨）。两者都由寡头供给的产能决策主导——需求波动只是导火索，真正的放大器是原厂的"扩产/减产/转产"。