Chapter 06 · Glossary & Sources

术语与来源

存储行业黑话很多。这里用"给聪明朋友解释"的口吻讲清每个词。输入关键字实时过滤（快捷键 /）。

核心概念

基础DRAM（内存）
设备运行时的"临时工作台"，断电就清空。跑大模型时，模型权重要装进 DRAM 才能算。
基础NAND（闪存）
关机也不丢数据的"仓库"，手机存储、SSD、车机板载存储都是它。
价格合约价 Contract
原厂（三星等）卖给大客户（OEM）的长单价，按月/季谈，波动平滑、滞后。代表真实采购成本。
价格现货价 Spot
现货市场零散成交价，量小但反应快，领先合约 1–2 季，是周期先行指标。
单位$/Gb vs $/GB
Gb=千兆比特，GB=千兆字节，差 8 倍（1GB=8Gb）。芯片按比特计价，消费端按字节。本图谱统一用 $/Gb。
单位颗粒 / 模组
颗粒=单颗芯片（如 DDR4 8Gb）；模组=把多颗颗粒装到一条内存条/存储盘上（含封装、主控）。模组价含更多附加成本。
单位QoQ
Quarter-over-Quarter，环比上一季度的涨跌幅。"+90% QoQ"=比上季度贵了近一倍。
单位BOM
Bill of Materials，物料清单，即一台整机所有零件的成本合计。存储是其中一项。

DRAM 代际

DRAMDDR2 / DDR3 / DDR4 / DDR5
PC/服务器内存的四代标准，越新越快越省电。2006 主流是 DDR2，如今是 DDR4/DDR5。
DRAMMobile DRAM / LPDDR
Low Power DDR，低功耗移动内存，用于手机、车机、算力盒子。代际：LPDDR3→4→4X→5→5X。
DRAMLPDDR4X / LPDDR5X
LPDDR4X 是中低端机主力（本轮被原厂主动减产、涨最凶）；LPDDR5X 是中高端与 AI 设备主力。
DRAMeTT
effective Tested Type，未打标的裸颗粒，现货市场常见的最便宜品类，价格最敏感。
DRAMHBM
High Bandwidth Memory，高带宽内存，专供 AI 加速卡（GPU）。单价与利润远高于普通 DRAM——它抢走产能是本轮涨价的根因。
DRAMHBM3E / HBM4
HBM 的最新几代。美光 2026 年 HBM 产能已被预订一空，说明 AI 对高端内存的需求极度旺盛。

NAND 相关

NANDSLC / MLC / TLC / QLC
一个存储单元存几位：SLC=1、MLC=2、TLC=3、QLC=4。存得越多越便宜，但越慢越不耐用。TLC 是当前主流。
NAND3D NAND
把存储单元垂直堆叠成几十上百层，大幅提升单片容量、降低 $/Gb。2017 年放量是它良率爬坡的关键期。
NANDwafer（晶圆）
切割成芯片前的圆形硅片。NAND 现货常以"晶圆价"报价（如 512Gb TLC wafer）。
NANDeMMC
嵌入式存储模块，把 NAND + 简易主控封装在一起，用于中低端手机、车机。便宜但慢。
NANDUFS
Universal Flash Storage，比 eMMC 更快的嵌入式存储，用于中高端设备。算力盒子高配用 UFS。

厂商与机构

厂商三寡头
三星、SK 海力士、美光——三家垄断全球 DRAM 约 90–96%（依年份）。它们的产能决策直接决定价格。
厂商CXMT（长鑫存储）
中国大陆 DRAM 厂商，DDR4 放量是压低低端价格、平衡市场的关键国产力量。
厂商长江存储 YMTC
中国大陆 NAND 厂商，国产闪存代表。
厂商尔必达 / 奇景美
Elpida（2012 破产被美光收购）/ Qimonda（2009 破产）——两轮崩盘中出局的旧玩家，促成了今天的三寡头格局。
机构TrendForce / DRAMeXchange
全球权威的存储市场研究机构，其现货/合约报价是行业基准（以亚洲市场为准）。
机构The Memory Guy / Objective Analysis
分析师 Jim Handy 的博客与研究机构，提供 NAND/DRAM 长期 $/GB 锚点与"成本跟随"周期框架。

周期与采购术语

周期超级周期 Supercycle
远超普通波动的大涨行情。2016–18 是第一轮，2025–26 是第二轮（AI 驱动，更猛）。
周期周期底 / 库存周数
价格触底的阶段（最佳备货点）；库存周数=现有库存够卖几周，<6 周极紧、>20 周转熊前兆。
采购LTA（长期协议）
Long-Term Agreement，与供应商签的多年带量长约，可锁价格走廊、隔离现货波动。
采购EOL（停产）
End of Life，料号停产。本轮原厂主动 EOL 老代际（DDR4/LPDDR4X），导致这些料反而更缺。
采购Capex（资本开支）
原厂建厂/买设备的投入。Capex 转向 HBM = 普通内存扩产停滞。
面壁BitCPM / 低位宽量化
面壁把模型压缩到 1.58-bit（三值量化，BitCPM）的技术；另有 INT4/GPTQ 约 4bit 路线。可降约 90% 内存占用——存储涨价时的直接降本抓手。
面壁AI Box / 算力盒子
面壁与英特尔/瑞芯微合作的车载端侧算力单元，本地跑 MiniCPM 大模型。本图谱的成本主角。

数据来源与置信度

口径

全部价格为芯片级 $/Gb（非模组零售价），中国/亚洲市场基准。V 实测锚点共 42 个（2026-08 核查后由 46 降级 4 点：DRAM 现货 2025Q1/2025Q4、NAND 合约 2012Q4/2017Q3；来源含 TrendForce 新闻稿、原厂财报、The Memory Guy、Objective Analysis、Memory Price Index）；E 为按周期形态重构/插值，早期（2006–2015）重构成分高，仅表征量级与形态。

注：用户提供的两篇微信参考文章因验证墙未取得正文，暂未纳入；粘贴后可增补。本图谱为战略研判用途，数字截至 2026-02（as of 2026-02，TrendForce/DXI 公开报价），2026Q2–Q3 为预测（E/forecast），精确 $/Gb（尤其合约）以 TrendForce 付费数据为准。2026-08 三方事实核查结论：三域可信度均为 MEDIUM，已修正若干口径并将 4 个 V 锚点降级为 E（46→42），完整记录见 storage-price-map-factcheck.md。